Linh kiện điện tử

Translator

 
 

Đăng nhập



Đối tác

Hỗ trợ trực tuyến

TƯ VẤN MIỄN PHÍ VÀ BẢO TRÌ MÃI MÃI
Kinh doanh dự án 
Mr. Nam: 0982.123.592
Mr.Hoàn: 0963.221.325

G4BC30UD

Hãng sản xuất: International Rectifier (IRF)

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Tính Năng:

Features
• UltraFast:  Optimized for high operating
   frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200
  kHz in resonant mode
• Generation 4 IGBT design provides tighter
  parameter distribution and higher efficiency than
  Generation 3
• IGBT co-packaged with HEXFRED
TM
 ultrafast,
  ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
  bridge configurations
• Industry standard TO-220AB package

Absolute Maximum Ratings
Benefits
• Generation -4 IGBT's offer highest efficiencies
  available
• IGBTs optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with
  IGBTs .  Minimized recovery characteristics require
   less/no snubbing
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent
   industry-standard Generation 3 IR IGBTs

Bạn đang ở: Sản phẩm Linh kiện điện tử VAN BÁN DẪN IGBT
Công ty Cổ Phần Thương Mại - Tự Động Hóa NA SA CO
Trụ sở chính: Số 12, Ngõ 162/28, Đường Khương Đình, P.Hạ Đình, Q. Thanh Xuân - Hà Nội
Văn phòng giao dịch:  Số 146 Đường Khương Đình, P.Hạ Đình, Q. Thanh Xuân - Hà Nội
        Điện thoại Văn phòng: +84(4) 3557 6176 - Fax: +84(4) 3557 6315 - Hotline: 0982.123.592
Fanpage: facebook.com/bientanbeta
Email: nasaco.vnn@gmail.com   -   hainam@nasaco.com.vn